DF11MR12W1M1B11BOMA1

Irudia erreferentziarako da, mesedez jarri gurekin harremanetan benetako argazkia lortzeko

Fabrikatzailearen zatia	DF11MR12W1M1B11BOMA1
Fabrikatzailea	Rochester Electronics
Deskribapena	IGBT MODULE
Kategoria	produktu erdieroale diskretuak
Familia	transistoreak - fets, mosfets - array
Bizitzaren zikloa:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Ordainketa	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datu-fitxa	DF11MR12W1M1B11BOMA1 PDF

Eskuragarritasuna

InStock	83
Unitatearen Prezioa	$ 120.00000

DF11MR12W1M1B11BOMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

DF11MR12W1M1B11BOMA1 Zehaztapenak

Mota	Deskribapena
seriea:	*
paketea:	Bulk
zatiaren egoera:	Active
fet mota:	2 N-Channel (Dual)
fet ezaugarri:	Silicon Carbide (SiC)
draina iturriko tentsioa (vdss):	1200V (1.2kV)
korrontea - drainatze jarraitua (id) @ 25 °c:	50A
rds on (gehienez) @ id, vgs:	23mOhm @ 50A, 15V
vgs (th) (gehienez) @ id:	5.5V @ 20mA
atearen karga (qg) (gehienez) @ vgs:	125nC @ 5V
sarrerako kapazitatea (ciss) (max) @ vds:	3950pF @ 800V
potentzia - max:	20mW
funtzionamendu-tenperatura:	-40°C ~ 150°C (TJ)
muntaketa mota:	Chassis Mount
pakete / kaxa:	Module
hornitzaileen gailu paketea:	Module

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.