IPD60R600E6ATMA1

Irudia erreferentziarako da, mesedez jarri gurekin harremanetan benetako argazkia lortzeko

Fabrikatzailearen zatia	IPD60R600E6ATMA1
Fabrikatzailea	Rochester Electronics
Deskribapena	COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Kategoria	produktu erdieroale diskretuak
Familia	transistoreak - fets, mosfets - bakarra
Bizitzaren zikloa:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Ordainketa	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datu-fitxa	IPD60R600E6ATMA1 PDF

Eskuragarritasuna

InStock	8.488
Unitatearen Prezioa	$ 0.52000

IPD60R600E6ATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IPD60R600E6ATMA1 Zehaztapenak

Mota	Deskribapena
seriea:	CoolMOS™ E6
paketea:	Bulk
zatiaren egoera:	Active
fet mota:	N-Channel
teknologia:	MOSFET (Metal Oxide)
draina iturriko tentsioa (vdss):	600 V
korrontea - drainatze jarraitua (id) @ 25 °c:	7.3A (Tc)
disko-tentsioa (gehienezko rds aktibatuta, gutxieneko rds aktibatuta):	10V
rds on (gehienez) @ id, vgs:	600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs (th) (gehienez) @ id:	3.5V @ 200µA
atearen karga (qg) (gehienez) @ vgs:	20.5 nC @ 10 V
vgs (gehienez):	±20V
sarrerako kapazitatea (ciss) (max) @ vds:	440 pF @ 100 V
fet ezaugarri:	-
potentzia xahutzea (gehienez):	63W (Tc)
funtzionamendu-tenperatura:	-
muntaketa mota:	Surface Mount
hornitzaileen gailu paketea:	TO-252
pakete / kaxa:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.