SIHP11N80E-GE3

Irudia erreferentziarako da, mesedez jarri gurekin harremanetan benetako argazkia lortzeko

Fabrikatzailearen zatia	SIHP11N80E-GE3
Fabrikatzailea	Vishay / Siliconix
Deskribapena	MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB
Kategoria	produktu erdieroale diskretuak
Familia	transistoreak - fets, mosfets - bakarra
Bizitzaren zikloa:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Ordainketa	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datu-fitxa	SIHP11N80E-GE3 PDF

Eskuragarritasuna

InStock	17
Unitatearen Prezioa	$ 3.70000

SIHP11N80E-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SIHP11N80E-GE3 Zehaztapenak

Mota	Deskribapena
seriea:	E
paketea:	Tube
zatiaren egoera:	Active
fet mota:	N-Channel
teknologia:	MOSFET (Metal Oxide)
draina iturriko tentsioa (vdss):	800 V
korrontea - drainatze jarraitua (id) @ 25 °c:	12A (Tc)
disko-tentsioa (gehienezko rds aktibatuta, gutxieneko rds aktibatuta):	10V
rds on (gehienez) @ id, vgs:	440mOhm @ 5.5A, 10V
vgs (th) (gehienez) @ id:	4V @ 250µA
atearen karga (qg) (gehienez) @ vgs:	88 nC @ 10 V
vgs (gehienez):	±30V
sarrerako kapazitatea (ciss) (max) @ vds:	1670 pF @ 100 V
fet ezaugarri:	-
potentzia xahutzea (gehienez):	179W (Tc)
funtzionamendu-tenperatura:	-55°C ~ 150°C (TJ)
muntaketa mota:	Through Hole
hornitzaileen gailu paketea:	TO-220AB
pakete / kaxa:	TO-220-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.