IPN80R1K2P7ATMA1

Irudia erreferentziarako da, mesedez jarri gurekin harremanetan benetako argazkia lortzeko

Fabrikatzailearen zatia	IPN80R1K2P7ATMA1
Fabrikatzailea	IR (Infineon Technologies)
Deskribapena	MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Kategoria	produktu erdieroale diskretuak
Familia	transistoreak - fets, mosfets - bakarra
Bizitzaren zikloa:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Ordainketa	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datu-fitxa	IPN80R1K2P7ATMA1 PDF

Eskuragarritasuna

InStock	5.490
Unitatearen Prezioa	$ 1.08000

IPN80R1K2P7ATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IPN80R1K2P7ATMA1 Zehaztapenak

Mota	Deskribapena
seriea:	CoolMOS™ P7
paketea:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
zatiaren egoera:	Active
fet mota:	N-Channel
teknologia:	MOSFET (Metal Oxide)
draina iturriko tentsioa (vdss):	800 V
korrontea - drainatze jarraitua (id) @ 25 °c:	4.5A (Tc)
disko-tentsioa (gehienezko rds aktibatuta, gutxieneko rds aktibatuta):	10V
rds on (gehienez) @ id, vgs:	1.2Ohm @ 1.7A, 10V
vgs (th) (gehienez) @ id:	3.5V @ 80µA
atearen karga (qg) (gehienez) @ vgs:	11 nC @ 10 V
vgs (gehienez):	±20V
sarrerako kapazitatea (ciss) (max) @ vds:	300 pF @ 500 V
fet ezaugarri:	-
potentzia xahutzea (gehienez):	6.8W (Tc)
funtzionamendu-tenperatura:	-55°C ~ 150°C (TJ)
muntaketa mota:	Surface Mount
hornitzaileen gailu paketea:	PG-SOT223
pakete / kaxa:	TO-261-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.