TW070J120B,S1Q

Irudia erreferentziarako da, mesedez jarri gurekin harremanetan benetako argazkia lortzeko

Fabrikatzailearen zatia	TW070J120B,S1Q
Fabrikatzailea	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Deskribapena	SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
Kategoria	produktu erdieroale diskretuak
Familia	transistoreak - fets, mosfets - bakarra
Bizitzaren zikloa:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Ordainketa	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Eskuragarritasuna

InStock	273
Unitatearen Prezioa	$ 33.97000

TW070J120B,S1Q Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

TW070J120B,S1Q Zehaztapenak

Mota	Deskribapena
seriea:	*
paketea:	Tube
zatiaren egoera:	Active
fet mota:	N-Channel
teknologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
draina iturriko tentsioa (vdss):	1200 V
korrontea - drainatze jarraitua (id) @ 25 °c:	36A (Tc)
disko-tentsioa (gehienezko rds aktibatuta, gutxieneko rds aktibatuta):	20V
rds on (gehienez) @ id, vgs:	90mOhm @ 18A, 20V
vgs (th) (gehienez) @ id:	5.8V @ 20mA
atearen karga (qg) (gehienez) @ vgs:	67 nC @ 20 V
vgs (gehienez):	±25V, -10V
sarrerako kapazitatea (ciss) (max) @ vds:	1680 pF @ 800 V
fet ezaugarri:	Standard
potentzia xahutzea (gehienez):	272W (Tc)
funtzionamendu-tenperatura:	-55°C ~ 175°C
muntaketa mota:	Through Hole
hornitzaileen gailu paketea:	TO-3P(N)
pakete / kaxa:	TO-3P-3, SC-65-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.