TK31J60W,S1VQ

Irudia erreferentziarako da, mesedez jarri gurekin harremanetan benetako argazkia lortzeko

Fabrikatzailearen zatia	TK31J60W,S1VQ
Fabrikatzailea	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Deskribapena	MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P
Kategoria	produktu erdieroale diskretuak
Familia	transistoreak - fets, mosfets - bakarra
Bizitzaren zikloa:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Ordainketa	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datu-fitxa	TK31J60W,S1VQ PDF

Eskuragarritasuna

InStock	21
Unitatearen Prezioa	$ 8.85000

TK31J60W,S1VQ Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

TK31J60W,S1VQ Zehaztapenak

Mota	Deskribapena
seriea:	DTMOSIV
paketea:	Tube
zatiaren egoera:	Active
fet mota:	N-Channel
teknologia:	MOSFET (Metal Oxide)
draina iturriko tentsioa (vdss):	600 V
korrontea - drainatze jarraitua (id) @ 25 °c:	30.8A (Ta)
disko-tentsioa (gehienezko rds aktibatuta, gutxieneko rds aktibatuta):	10V
rds on (gehienez) @ id, vgs:	88mOhm @ 15.4A, 10V
vgs (th) (gehienez) @ id:	3.7V @ 1.5mA
atearen karga (qg) (gehienez) @ vgs:	86 nC @ 10 V
vgs (gehienez):	±30V
sarrerako kapazitatea (ciss) (max) @ vds:	3000 pF @ 300 V
fet ezaugarri:	Super Junction
potentzia xahutzea (gehienez):	230W (Tc)
funtzionamendu-tenperatura:	150°C (TJ)
muntaketa mota:	Through Hole
hornitzaileen gailu paketea:	TO-3P(N)
pakete / kaxa:	TO-3P-3, SC-65-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.