GA10SICP12-263

Irudia erreferentziarako da, mesedez jarri gurekin harremanetan benetako argazkia lortzeko

Fabrikatzailearen zatia	GA10SICP12-263
Fabrikatzailea	GeneSiC Semiconductor
Deskribapena	TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
Kategoria	produktu erdieroale diskretuak
Familia	transistoreak - fets, mosfets - bakarra
Bizitzaren zikloa:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Ordainketa	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datu-fitxa	GA10SICP12-263 PDF

Eskuragarritasuna

InStock	373.760
Unitatearen Prezioa	$ 29.67690

GA10SICP12-263 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

GA10SICP12-263 Zehaztapenak

Mota	Deskribapena
seriea:	-
paketea:	Tube
zatiaren egoera:	Active
fet mota:	-
teknologia:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
draina iturriko tentsioa (vdss):	1200 V
korrontea - drainatze jarraitua (id) @ 25 °c:	25A (Tc)
disko-tentsioa (gehienezko rds aktibatuta, gutxieneko rds aktibatuta):	-
rds on (gehienez) @ id, vgs:	100mOhm @ 10A
vgs (th) (gehienez) @ id:	-
atearen karga (qg) (gehienez) @ vgs:	-
vgs (gehienez):	-
sarrerako kapazitatea (ciss) (max) @ vds:	1403 pF @ 800 V
fet ezaugarri:	-
potentzia xahutzea (gehienez):	170W (Tc)
funtzionamendu-tenperatura:	175°C (TJ)
muntaketa mota:	Surface Mount
hornitzaileen gailu paketea:	D2PAK (7-Lead)
pakete / kaxa:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.