G2R1000MT33J

Irudia erreferentziarako da, mesedez jarri gurekin harremanetan benetako argazkia lortzeko

Fabrikatzailearen zatia	G2R1000MT33J
Fabrikatzailea	GeneSiC Semiconductor
Deskribapena	SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Kategoria	produktu erdieroale diskretuak
Familia	transistoreak - fets, mosfets - bakarra
Bizitzaren zikloa:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Ordainketa	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datu-fitxa	G2R1000MT33J PDF

Eskuragarritasuna

InStock	1.130
Unitatearen Prezioa	$ 16.58000

G2R1000MT33J Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

G2R1000MT33J Zehaztapenak

Mota	Deskribapena
seriea:	G2R™
paketea:	Tube
zatiaren egoera:	Active
fet mota:	N-Channel
teknologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
draina iturriko tentsioa (vdss):	3300 V
korrontea - drainatze jarraitua (id) @ 25 °c:	4A (Tc)
disko-tentsioa (gehienezko rds aktibatuta, gutxieneko rds aktibatuta):	20V
rds on (gehienez) @ id, vgs:	1.2Ohm @ 2A, 20V
vgs (th) (gehienez) @ id:	3.5V @ 2mA
atearen karga (qg) (gehienez) @ vgs:	21 nC @ 20 V
vgs (gehienez):	+20V, -5V
sarrerako kapazitatea (ciss) (max) @ vds:	238 pF @ 1000 V
fet ezaugarri:	-
potentzia xahutzea (gehienez):	74W (Tc)
funtzionamendu-tenperatura:	-55°C ~ 175°C (TJ)
muntaketa mota:	Surface Mount
hornitzaileen gailu paketea:	TO-263-7
pakete / kaxa:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.