TPH3205WSBQA

Irudia erreferentziarako da, mesedez jarri gurekin harremanetan benetako argazkia lortzeko

Fabrikatzailearen zatia	TPH3205WSBQA
Fabrikatzailea	Transphorm
Deskribapena	GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
Kategoria	produktu erdieroale diskretuak
Familia	transistoreak - fets, mosfets - bakarra
Bizitzaren zikloa:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Ordainketa	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datu-fitxa	TPH3205WSBQA PDF

Eskuragarritasuna

InStock	406
Unitatearen Prezioa	$ 22.97000

TPH3205WSBQA Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

TPH3205WSBQA Zehaztapenak

Mota	Deskribapena
seriea:	Automotive, AEC-Q101
paketea:	Tube
zatiaren egoera:	Not For New Designs
fet mota:	N-Channel
teknologia:	GaNFET (Gallium Nitride)
draina iturriko tentsioa (vdss):	650 V
korrontea - drainatze jarraitua (id) @ 25 °c:	35A (Tc)
disko-tentsioa (gehienezko rds aktibatuta, gutxieneko rds aktibatuta):	10V
rds on (gehienez) @ id, vgs:	62mOhm @ 22A, 8V
vgs (th) (gehienez) @ id:	2.6V @ 700µA
atearen karga (qg) (gehienez) @ vgs:	42 nC @ 8 V
vgs (gehienez):	±18V
sarrerako kapazitatea (ciss) (max) @ vds:	2200 pF @ 400 V
fet ezaugarri:	-
potentzia xahutzea (gehienez):	125W (Tc)
funtzionamendu-tenperatura:	-55°C ~ 150°C (TJ)
muntaketa mota:	Through Hole
hornitzaileen gailu paketea:	TO-247-3
pakete / kaxa:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.