SISF04DN-T1-GE3

Irudia erreferentziarako da, mesedez jarri gurekin harremanetan benetako argazkia lortzeko

Fabrikatzailearen zatia	SISF04DN-T1-GE3
Fabrikatzailea	Vishay / Siliconix
Deskribapena	MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 1212-8
Kategoria	produktu erdieroale diskretuak
Familia	transistoreak - fets, mosfets - array
Bizitzaren zikloa:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Ordainketa	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datu-fitxa	SISF04DN-T1-GE3 PDF

Eskuragarritasuna

InStock	5.785
Unitatearen Prezioa	$ 1.41000

SISF04DN-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SISF04DN-T1-GE3 Zehaztapenak

Mota	Deskribapena
seriea:	TrenchFET® Gen IV
paketea:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
zatiaren egoera:	Active
fet mota:	2 N-Channel (Dual) Common Drain
fet ezaugarri:	Standard
draina iturriko tentsioa (vdss):	30V
korrontea - drainatze jarraitua (id) @ 25 °c:	30A (Ta), 108A (Tc)
rds on (gehienez) @ id, vgs:	4mOhm @ 7A, 10V
vgs (th) (gehienez) @ id:	2.3V @ 250µA
atearen karga (qg) (gehienez) @ vgs:	60nC @ 10V
sarrerako kapazitatea (ciss) (max) @ vds:	2600pF @ 15V
potentzia - max:	5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
funtzionamendu-tenperatura:	-55°C ~ 150°C (TJ)
muntaketa mota:	Surface Mount
pakete / kaxa:	PowerPAK® 1212-8SCD
hornitzaileen gailu paketea:	PowerPAK® 1212-8SCD

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.