SCT10N120

Irudia erreferentziarako da, mesedez jarri gurekin harremanetan benetako argazkia lortzeko

Fabrikatzailearen zatia	SCT10N120
Fabrikatzailea	STMicroelectronics
Deskribapena	SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
Kategoria	produktu erdieroale diskretuak
Familia	transistoreak - fets, mosfets - bakarra
Bizitzaren zikloa:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Ordainketa	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datu-fitxa	SCT10N120 PDF

Eskuragarritasuna

InStock	935.505
Unitatearen Prezioa	$ 9.29000

SCT10N120 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SCT10N120 Zehaztapenak

Mota	Deskribapena
seriea:	-
paketea:	Tube
zatiaren egoera:	Active
fet mota:	N-Channel
teknologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
draina iturriko tentsioa (vdss):	1200 V
korrontea - drainatze jarraitua (id) @ 25 °c:	12A (Tc)
disko-tentsioa (gehienezko rds aktibatuta, gutxieneko rds aktibatuta):	20V
rds on (gehienez) @ id, vgs:	690mOhm @ 6A, 20V
vgs (th) (gehienez) @ id:	3.5V @ 250µA
atearen karga (qg) (gehienez) @ vgs:	22 nC @ 20 V
vgs (gehienez):	+25V, -10V
sarrerako kapazitatea (ciss) (max) @ vds:	290 pF @ 400 V
fet ezaugarri:	-
potentzia xahutzea (gehienez):	150W (Tc)
funtzionamendu-tenperatura:	-55°C ~ 200°C (TJ)
muntaketa mota:	Through Hole
hornitzaileen gailu paketea:	HiP247™
pakete / kaxa:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.