IGT60R190D1SATMA1

Irudia erreferentziarako da, mesedez jarri gurekin harremanetan benetako argazkia lortzeko

Fabrikatzailearen zatia	IGT60R190D1SATMA1
Fabrikatzailea	IR (Infineon Technologies)
Deskribapena	GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
Kategoria	produktu erdieroale diskretuak
Familia	transistoreak - fets, mosfets - bakarra
Bizitzaren zikloa:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Ordainketa	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datu-fitxa	IGT60R190D1SATMA1 PDF

Eskuragarritasuna

InStock	50
Unitatearen Prezioa	$ 15.05000

IGT60R190D1SATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IGT60R190D1SATMA1 Zehaztapenak

Mota	Deskribapena
seriea:	CoolGaN™
paketea:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
zatiaren egoera:	Active
fet mota:	N-Channel
teknologia:	GaNFET (Gallium Nitride)
draina iturriko tentsioa (vdss):	600 V
korrontea - drainatze jarraitua (id) @ 25 °c:	12.5A (Tc)
disko-tentsioa (gehienezko rds aktibatuta, gutxieneko rds aktibatuta):	-
rds on (gehienez) @ id, vgs:	-
vgs (th) (gehienez) @ id:	1.6V @ 960µA
atearen karga (qg) (gehienez) @ vgs:	-
vgs (gehienez):	-10V
sarrerako kapazitatea (ciss) (max) @ vds:	157 pF @ 400 V
fet ezaugarri:	-
potentzia xahutzea (gehienez):	55.5W (Tc)
funtzionamendu-tenperatura:	-55°C ~ 150°C (TJ)
muntaketa mota:	Surface Mount
hornitzaileen gailu paketea:	PG-HSOF-8-3
pakete / kaxa:	8-PowerSFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.