FDP12N50NZ

Irudia erreferentziarako da, mesedez jarri gurekin harremanetan benetako argazkia lortzeko

Fabrikatzailearen zatia	FDP12N50NZ
Fabrikatzailea	Rochester Electronics
Deskribapena	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Kategoria	produktu erdieroale diskretuak
Familia	transistoreak - fets, mosfets - bakarra
Bizitzaren zikloa:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Ordainketa	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datu-fitxa	FDP12N50NZ PDF

Eskuragarritasuna

InStock	13.600
Unitatearen Prezioa	$ 0.69000

FDP12N50NZ Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

FDP12N50NZ Zehaztapenak

Mota	Deskribapena
seriea:	*
paketea:	Bulk
zatiaren egoera:	Active
fet mota:	N-Channel
teknologia:	MOSFET (Metal Oxide)
draina iturriko tentsioa (vdss):	500 V
korrontea - drainatze jarraitua (id) @ 25 °c:	11.5A (Tc)
disko-tentsioa (gehienezko rds aktibatuta, gutxieneko rds aktibatuta):	10V
rds on (gehienez) @ id, vgs:	520mOhm @ 5.75A, 10V
vgs (th) (gehienez) @ id:	5V @ 250µA
atearen karga (qg) (gehienez) @ vgs:	30 nC @ 10 V
vgs (gehienez):	±25V
sarrerako kapazitatea (ciss) (max) @ vds:	1.235 pF @ 25 V
fet ezaugarri:	-
potentzia xahutzea (gehienez):	170W (Tc)
funtzionamendu-tenperatura:	-55°C ~ 150°C (TJ)
muntaketa mota:	Through Hole
hornitzaileen gailu paketea:	TO-220-3
pakete / kaxa:	TO-220-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.