NTLJF4156NTAG

Irudia erreferentziarako da, mesedez jarri gurekin harremanetan benetako argazkia lortzeko

Fabrikatzailearen zatia	NTLJF4156NTAG
Fabrikatzailea	Rochester Electronics
Deskribapena	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Kategoria	produktu erdieroale diskretuak
Familia	transistoreak - fets, mosfets - bakarra
Bizitzaren zikloa:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Ordainketa	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datu-fitxa	NTLJF4156NTAG PDF

Eskuragarritasuna

InStock	6.000
Unitatearen Prezioa	$ 0.15000

NTLJF4156NTAG Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

NTLJF4156NTAG Zehaztapenak

Mota	Deskribapena
seriea:	-
paketea:	Bulk
zatiaren egoera:	Active
fet mota:	N-Channel
teknologia:	MOSFET (Metal Oxide)
draina iturriko tentsioa (vdss):	30 V
korrontea - drainatze jarraitua (id) @ 25 °c:	2.5A (Tj)
disko-tentsioa (gehienezko rds aktibatuta, gutxieneko rds aktibatuta):	1.5V, 4.5V
rds on (gehienez) @ id, vgs:	70mOhm @ 2A, 4.5V
vgs (th) (gehienez) @ id:	1V @ 250µA
atearen karga (qg) (gehienez) @ vgs:	6.5 nC @ 4.5 V
vgs (gehienez):	±8V
sarrerako kapazitatea (ciss) (max) @ vds:	427 pF @ 15 V
fet ezaugarri:	Schottky Diode (Isolated)
potentzia xahutzea (gehienez):	710mW (Ta)
funtzionamendu-tenperatura:	-55°C ~ 150°C (TJ)
muntaketa mota:	Surface Mount
hornitzaileen gailu paketea:	6-WDFN (2x2)
pakete / kaxa:	6-WDFN Exposed Pad

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.