SCTW35N65G2VAG

Irudia erreferentziarako da, mesedez jarri gurekin harremanetan benetako argazkia lortzeko

Fabrikatzailearen zatia	SCTW35N65G2VAG
Fabrikatzailea	STMicroelectronics
Deskribapena	SICFET N-CH 650V 45A HIP247
Kategoria	produktu erdieroale diskretuak
Familia	transistoreak - fets, mosfets - bakarra
Bizitzaren zikloa:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Ordainketa	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datu-fitxa	SCTW35N65G2VAG PDF

Eskuragarritasuna

InStock	492
Unitatearen Prezioa	$ 14.67000

SCTW35N65G2VAG Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SCTW35N65G2VAG Zehaztapenak

Mota	Deskribapena
seriea:	Automotive, AEC-Q101
paketea:	Tube
zatiaren egoera:	Active
fet mota:	N-Channel
teknologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
draina iturriko tentsioa (vdss):	650 V
korrontea - drainatze jarraitua (id) @ 25 °c:	45A (Tc)
disko-tentsioa (gehienezko rds aktibatuta, gutxieneko rds aktibatuta):	18V, 20V
rds on (gehienez) @ id, vgs:	67mOhm @ 20A, 20V
vgs (th) (gehienez) @ id:	5V @ 1mA
atearen karga (qg) (gehienez) @ vgs:	73 nC @ 20 V
vgs (gehienez):	+22V, -10V
sarrerako kapazitatea (ciss) (max) @ vds:	1370 pF @ 400 V
fet ezaugarri:	-
potentzia xahutzea (gehienez):	240W (Tc)
funtzionamendu-tenperatura:	-55°C ~ 200°C (TJ)
muntaketa mota:	Through Hole
hornitzaileen gailu paketea:	HiP247™
pakete / kaxa:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.