SCTWA90N65G2V-4

Irudia erreferentziarako da, mesedez jarri gurekin harremanetan benetako argazkia lortzeko

Fabrikatzailearen zatia	SCTWA90N65G2V-4
Fabrikatzailea	STMicroelectronics
Deskribapena	TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
Kategoria	produktu erdieroale diskretuak
Familia	transistoreak - fets, mosfets - bakarra
Bizitzaren zikloa:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Ordainketa	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datu-fitxa	SCTWA90N65G2V-4 PDF

Eskuragarritasuna

InStock	63
Unitatearen Prezioa	$ 29.19000

SCTWA90N65G2V-4 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SCTWA90N65G2V-4 Zehaztapenak

Mota	Deskribapena
seriea:	-
paketea:	Tube
zatiaren egoera:	Active
fet mota:	N-Channel
teknologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
draina iturriko tentsioa (vdss):	650 V
korrontea - drainatze jarraitua (id) @ 25 °c:	119A (Tc)
disko-tentsioa (gehienezko rds aktibatuta, gutxieneko rds aktibatuta):	-
rds on (gehienez) @ id, vgs:	24mOhm @ 50A, 18V
vgs (th) (gehienez) @ id:	5V @ 1mA
atearen karga (qg) (gehienez) @ vgs:	157 nC @ 18 V
vgs (gehienez):	+22V, -10V
sarrerako kapazitatea (ciss) (max) @ vds:	3380 pF @ 400 V
fet ezaugarri:	-
potentzia xahutzea (gehienez):	565W (Tc)
funtzionamendu-tenperatura:	-55°C ~ 200°C (TJ)
muntaketa mota:	Through Hole
hornitzaileen gailu paketea:	HiP247™ Long Leads
pakete / kaxa:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.