NTLJS1102PTAG

Irudia erreferentziarako da, mesedez jarri gurekin harremanetan benetako argazkia lortzeko

Fabrikatzailearen zatia	NTLJS1102PTAG
Fabrikatzailea	Rochester Electronics
Deskribapena	MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN
Kategoria	produktu erdieroale diskretuak
Familia	transistoreak - fets, mosfets - bakarra
Bizitzaren zikloa:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Ordainketa	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datu-fitxa	NTLJS1102PTAG PDF

Eskuragarritasuna

InStock	36.000
Unitatearen Prezioa	$ 0.19000

NTLJS1102PTAG Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

NTLJS1102PTAG Zehaztapenak

Mota	Deskribapena
seriea:	-
paketea:	Bulk
zatiaren egoera:	Obsolete
fet mota:	P-Channel
teknologia:	MOSFET (Metal Oxide)
draina iturriko tentsioa (vdss):	8 V
korrontea - drainatze jarraitua (id) @ 25 °c:	3.7A (Ta)
disko-tentsioa (gehienezko rds aktibatuta, gutxieneko rds aktibatuta):	1.2V, 4.5V
rds on (gehienez) @ id, vgs:	36mOhm @ 6.2A, 4.5V
vgs (th) (gehienez) @ id:	720mV @ 250µA
atearen karga (qg) (gehienez) @ vgs:	25 nC @ 4.5 V
vgs (gehienez):	±6V
sarrerako kapazitatea (ciss) (max) @ vds:	1.585 pF @ 4 V
fet ezaugarri:	-
potentzia xahutzea (gehienez):	700mW (Ta)
funtzionamendu-tenperatura:	-55°C ~ 150°C (TJ)
muntaketa mota:	Surface Mount
hornitzaileen gailu paketea:	6-WDFN (2x2)
pakete / kaxa:	6-WDFN Exposed Pad

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.