IGLD60R190D1AUMA1

Irudia erreferentziarako da, mesedez jarri gurekin harremanetan benetako argazkia lortzeko

Fabrikatzailearen zatia	IGLD60R190D1AUMA1
Fabrikatzailea	IR (Infineon Technologies)
Deskribapena	MOSFET N-CH 600V 10A LSON-8
Kategoria	produktu erdieroale diskretuak
Familia	transistoreak - fets, mosfets - bakarra
Bizitzaren zikloa:	New from this manufacturer.
Entrega:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Ordainketa	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datu-fitxa	IGLD60R190D1AUMA1 PDF

Eskuragarritasuna

InStock	1.559.655
Unitatearen Prezioa	$ 10.90320

IGLD60R190D1AUMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

IGLD60R190D1AUMA1 Zehaztapenak

Mota	Deskribapena
seriea:	CoolGaN™
paketea:	Tape & Reel (TR)
zatiaren egoera:	Active
fet mota:	N-Channel
teknologia:	MOSFET (Metal Oxide)
draina iturriko tentsioa (vdss):	600 V
korrontea - drainatze jarraitua (id) @ 25 °c:	10A (Tc)
disko-tentsioa (gehienezko rds aktibatuta, gutxieneko rds aktibatuta):	-
rds on (gehienez) @ id, vgs:	-
vgs (th) (gehienez) @ id:	1.6V @ 960µA
atearen karga (qg) (gehienez) @ vgs:	-
vgs (gehienez):	-10V
sarrerako kapazitatea (ciss) (max) @ vds:	157 pF @ 400 V
fet ezaugarri:	-
potentzia xahutzea (gehienez):	62.5W (Tc)
funtzionamendu-tenperatura:	-55°C ~ 150°C (TJ)
muntaketa mota:	Surface Mount
hornitzaileen gailu paketea:	PG-LSON-8-1
pakete / kaxa:	8-LDFN Exposed Pad

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.